包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGF15H60DF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：136µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1820

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

反向恢复时间：101ns

关断损耗：0.71mJ

开启延迟时间：39ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB15H60DF

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

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工作温度：-55℃ ~ 175℃

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP15H60DF

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集电极脉冲电流(Icm)：60A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP15H60DF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

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反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

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集电极截止电流(Ices)：600V

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销售单位：个

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导通损耗：1.02mJ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB15H60DF

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集电极脉冲电流(Icm)：60A

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包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340A

类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340A

类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

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包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA180N10S5N029AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：221W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：81nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

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类型：MOSFET

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销售单位：个

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功率：172W

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类型：MOSFET

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销售单位：个

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集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：136µJ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

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功率：172W

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栅极电荷：81nC

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类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP15H60DF

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集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

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集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340A

类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB15H60DF

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：136µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

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销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

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类型：FS(场截止)

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规格型号(MPN)：RGTV80TS65DGC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

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关断损耗：0.71mJ

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栅极电荷：81nC

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规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340A

类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

反向恢复时间：101ns

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栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA250N04S6N008AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：172W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：81nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340A

类型：MOSFET

导通电阻：800μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

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关断损耗：0.71mJ

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栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

反向恢复时间：101ns

关断损耗：0.71mJ

开启延迟时间：39ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TK65DGVC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

反向恢复时间：101ns

关断损耗：0.71mJ

开启延迟时间：39ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RGTV80TS65DGC11

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，40A

关断延迟时间：113ns

反向恢复时间：101ns

关断损耗：0.71mJ

开启延迟时间：39ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：81nC

类型：FS(场截止)

导通损耗：1.02mJ

工作温度：-40℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP15H60DF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：136µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP15H60DF

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：118ns

反向恢复时间：103ns

关断损耗：207µJ

开启延迟时间：24.5ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：81nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，15A

导通损耗：136µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1