采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：182970，"MI+"：2082}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2659pF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€115.4W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：29.7A€174A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€115.4W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：29.7A€174A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1441，"23+"：3786}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR8401TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：3.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540V-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€115.4W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：29.7A€174A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：182970，"MI+"：2082}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2659pF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
