采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENZ4C13
功率：245W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP86N20X4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：2.25nF@25V
连续漏极电流：86A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@43A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：215W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：5.064nF@30V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：824}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3575-AZ
功率：1.5W€105W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.7nF@10V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@42A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：824}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3575-AZ
功率：1.5W€105W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.7nF@10V
连续漏极电流：83A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@42A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENZC17
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENZC17
功率：74W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENZ4C13
功率：245W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6524ENZ4C13
功率：245W
阈值电压：4V@750μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@11.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
