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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
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栅极电荷：96nC@10V
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输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDS6679AZ
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
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输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS6679AZ
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功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
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输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
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类型：P沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6679AZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：9.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
