品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4500,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4616pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4616pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17576Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4430pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1757,"14+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N03S2L07GBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3944pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: