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    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 35nC@10V
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:50+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5406TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5406TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5406TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€46W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@25V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5406TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5406TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":31,"9999":6}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5406TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€46W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@25V

    连续漏极电流:11A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0655DPB-00#J5 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN6R706NC,L1XHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ

    功率:100W€840mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H630NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H630NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:22A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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