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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：48440，"24+"：12960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2613}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2613}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN6R706NC，L1XHQ
功率：100W€840mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：2nF@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2613}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：48440，"24+"：12960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
阈值电压：2.1V@33µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
