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    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 35nC@10V
    功率: 840mW€100W
    当前匹配商品:10+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订2000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    功率:840mW€100W

    工作温度:175℃

    输入电容:2230pF@10V

    阈值电压:2.5V@300µA

    栅极电荷:35nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN3R804NC,L1XHQ 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€100W

    阈值电压:2.5V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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