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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订617个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@20V

    连续漏极电流:10.8A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS411ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS411ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3191pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.3mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NLAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA72ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@20V

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€150W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€150W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18501Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€150W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA34EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4141-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10000,"9999":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4141-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€69W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@20V

    连续漏极电流:10.8A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@12.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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