品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
导通电阻:160mΩ@11A,10V
功率:45W
工作温度:150℃
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:2000pF@25V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
导通电阻:80mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: