品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10875}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
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包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
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输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF3N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:705pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
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类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF3N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF3N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:705pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
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输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
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类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
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连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
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包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6509KNXC7G
工作温度:150℃
功率:48W
阈值电压:5V@230µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10875}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF3N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:705pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF3N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:705pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: