采购热线 400-661-9010
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFS2P753Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7025，"22+"：4140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC230N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€48W
阈值电压：3.3V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@50V
连续漏极电流：7.7A€31A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC230N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€48W
阈值电压：3.3V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@50V
连续漏极电流：7.7A€31A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ230N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€48W
阈值电压：3.3V@13µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@50V
连续漏极电流：7.7A€31A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC230N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€48W
阈值电压：3.3V@13µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@50V
连续漏极电流：7.7A€31A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM950N10CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N10CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N10CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ230N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€48W
阈值电压：3.3V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@50V
连续漏极电流：7.7A€31A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4460AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€23.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：3.7A€11A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4460AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€23.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：3.7A€11A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.17W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
