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    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 43nC@10V
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:100+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S404ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S404ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8462

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@20V

    连续漏极电流:14A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3007pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL210N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ451N04FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ451N04FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ451N04FRATL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S404AKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S404AKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":5500,"16+":545,"17+":28682,"18+":52000,"19+":190000,"22+":4500,"MI+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N04S404AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7 起订750个装
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7 起订750个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL210N4F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3007pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3007pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8462

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@20V

    连续漏极电流:14A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL210N4F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL210N4F7AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL210N4F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8462

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@20V

    连续漏极电流:14A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8462 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8462

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€41W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@20V

    连续漏极电流:14A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MLHX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:90W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3007pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S404ATMA1 起订487个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S404ATMA1 起订487个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":250,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S404AKSA1 起订321个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S404AKSA1 起订321个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":5500,"16+":545,"17+":28682,"18+":52000,"19+":190000,"22+":4500,"MI+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N04S404AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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