采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5500，"16+"：545，"17+"：28682，"18+"：52000，"19+"：190000，"22+"：4500，"MI+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：250，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：5500，"16+"：545，"17+"：28682，"18+"：52000，"19+"：190000，"22+"：4500，"MI+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2698，"23+"：705，"MI+"：3464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N04S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：250，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：250，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
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栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N04S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
功率：214W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
功率：214W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
