采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-50YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11143pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@25A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：49A€352A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12168pF@25V
连续漏极电流：52A€370A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
