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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18487}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18487}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：355pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
