品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP15P15T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3650pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP15P15T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3650pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIB5N65APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1417pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:930mΩ@3.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":500,"13+":3350,"14+":8904,"9999":157}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP15P10PHXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":260,"22+":5,"23+":3500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@50V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@53A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP33N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY15P15T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3650pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL099N60S5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:184W
阈值电压:4V@2.8mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@400V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79.2mΩ@10V,13.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":18950,"22+":950,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: