品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
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输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
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导通电阻:13mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
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输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
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连续漏极电流:35A€230A
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导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
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连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
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功率:1.6W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
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连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
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ECCN:EAR99
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输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
栅极电荷:60.2nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:35A€230A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:3.8W€170W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
栅极电荷:60.2nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:35A€230A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:3.8W€170W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
栅极电荷:60.2nC@10V
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类型:P沟道
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工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
栅极电荷:60.2nC@10V
阈值电压:1.1V@250µA
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类型:P沟道
漏源电压:20V
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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