采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW50N65F5AXKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：156ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：490µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW50N65F5AXKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：156ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：490µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW50N65F5AXKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：156ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：490µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW50N65F5AXKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：156ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，50A
导通损耗：490µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40020EL_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：17.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65DGC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：88ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS00TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：145ns
关断损耗：0.91mJ
开启延迟时间：46ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：108nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.98mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
