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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB33N65M2
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB33N65M2
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：12.4A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR108DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12.4A€45A
功率：5W€65.7W
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
栅极电荷：41.5nC@10V
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：2060pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
