销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:95µJ
开启延迟时间:14.2ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19.2nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:31.8µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:95µJ
开启延迟时间:14.2ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19.2nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:31.8µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:95µJ
开启延迟时间:14.2ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19.2nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:31.8µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6484
功率:2.7W
阈值电压:1.85V@250μA
栅极电荷:19.2nC
输入电容:780pF
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:26pF
导通电阻:85mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:95µJ
开启延迟时间:14.2ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19.2nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:31.8µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
关断延迟时间:72ns
开启延迟时间:14.2ns
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
栅极电荷:19.2nC
反向恢复时间:22ns
导通损耗:31.8µJ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:22ns
关断损耗:95µJ
开启延迟时间:14.2ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:19.2nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,5A
导通损耗:31.8µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6484
功率:2.7W
阈值电压:1.85V@250μA
栅极电荷:19.2nC
输入电容:780pF
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:26pF
导通电阻:85mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6484
功率:2.7W
阈值电压:1.85V@250μA
栅极电荷:19.2nC
输入电容:780pF
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:26pF
导通电阻:85mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6484
功率:2.7W
阈值电压:1.85V@250μA
栅极电荷:19.2nC
输入电容:780pF
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:26pF
导通电阻:85mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: