品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23202}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@20V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:18Ω@80mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":870}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@20V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23202}
销售单位:个
规格型号(MPN):1HP04CH-TL-W
工作温度:150℃
阈值电压:2.6V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14pF@20V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:18Ω@80mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3160E
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:3.2V@8µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@25V
连续漏极电流:40mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: