销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":201540,"23+":360,"MI+":7920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP10M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":201540,"23+":360,"MI+":7920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":201540,"23+":360,"MI+":7920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB10B65M1
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB10B65M1
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP10M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP10M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT65GP60B2G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):250A
关断延迟时间:91ns
关断损耗:896µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:210nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.7V@15V,65A
导通损耗:605µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP10M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP10M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10B65M1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:263ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":201540,"23+":360,"MI+":7920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10B65M2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
集电极截止电流(Ices):600V
导通损耗:452µJ
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
类型:场截止
工作温度:-55℃ ~ 175℃
关断延迟时间:91ns
栅极电荷:64nC
集电极脉冲电流(Icm):60A
反向恢复时间:26.7ns
包装方式:管件
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT65GP60B2G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):250A
关断延迟时间:91ns
关断损耗:896µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:210nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.7V@15V,65A
导通损耗:605µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10B65M2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):30A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:262ns
关断损耗:130µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:24nC
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:180µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":201540,"23+":360,"MI+":7920}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGAF20N60SMD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:26.7ns
关断损耗:141µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:64nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):1.7V@15V,20A
导通损耗:452µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: