包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL75T65MQDTL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:181ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,75A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL75T65MQDTL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:181ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,75A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL75T65MQDTL4
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:181ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,75A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL75T65MQDTL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:181ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,75A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL75T65MQDTL4
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:181ns
反向恢复时间:107ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:149nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,75A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: