采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62760，"23+"：11727}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC26N12NX1SA1
阈值电压：4V@244µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62760，"23+"：11727}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC26N12NX1SA1
阈值电压：4V@244µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1458-H
工作温度：150℃
功率：1W€38W
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：65pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62760，"23+"：11727}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC26N12NX1SA1
阈值电压：4V@244µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62760，"23+"：11727}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC26N12NX1SA1
阈值电压：4V@244µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1458-H
工作温度：150℃
功率：1W€38W
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：65pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：728psc
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
类型：1个N沟道
输入电容：85pF@10V
漏源电压：150V
功率：900mW
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：1A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极电荷：4.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1psc
生产批次：{"22+"：62760，"23+"：11727}
规格型号(MPN)：IPC26N12NX1SA1
阈值电压：4V@244µA
漏源电压：120V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装方式：散装
导通电阻：100mΩ@2A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1458-H
工作温度：150℃
功率：1W€38W
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：65pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
