采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007FNX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：散装
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：散装
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
