采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD120PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@780mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-FC270SA20
工作温度：-55℃~175℃
功率：937W
阈值电压：4.3V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：散装
输入电容：16500pF@100V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@200A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90100E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3930pF@100V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2182，"19+"：2484，"21+"：970，"22+"：4953，"23+"：111800，"24+"：3119，"MI+"：3339}
包装规格(MPQ)：434psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S308ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VS-FC270SA20
工作温度：-55℃~175℃
功率：937W
阈值电压：4.3V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：散装
输入电容：16500pF@100V
连续漏极电流：287A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@200A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD014PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：310pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：11530，"18+"：45000，"19+"：1860，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：304psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N04S406AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1085}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70040E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5100pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP60030E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7910pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD120PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@780mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
