品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD220PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD220PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD220PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD220PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS107P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装方式:散装
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:30Ω@100mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@240mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD210PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:散装
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: