品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1562pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1500,"16+":5150}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380E6ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB12N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:散装
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF065N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:散装
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1500,"16+":5150}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380E6ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB12N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:散装
输入电容:937pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:散装
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3508pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@16.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:散装
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: