包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STL210N4F7

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：43nC@10V

包装方式：散装

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：1.6mΩ@16A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：277W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：61nC@18V

包装方式：散装

输入电容：1233pF@800V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@20A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STL210N4F7

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：43nC@10V

包装方式：散装

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：1.6mΩ@16A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：277W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：61nC@18V

包装方式：散装

输入电容：1233pF@800V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@20A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STL210N4F7

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：43nC@10V

包装方式：散装

输入电容：3600pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：1.6mΩ@16A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：277W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：61nC@18V

包装方式：散装

输入电容：1233pF@800V

连续漏极电流：36A

类型：N沟道

导通电阻：100Ω@20A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：600psc

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

连续漏极电流：91A

导通电阻：30mΩ@50A，18V

工作温度：-55℃~200℃

类型：N沟道

漏源电压：1200V

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

输入电容：3540pF@800V

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD9N65DM6AG

工作温度：-55℃~150℃

功率：89W

阈值电压：4.75V@250µA

栅极电荷：11.7nC@10V

包装方式：散装

输入电容：510pF@100V

连续漏极电流：9A

类型：N沟道

导通电阻：440mΩ@4.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP20H65DFB2

包装方式：散装

集电极脉冲电流(Icm)：60A

关断延迟时间：78.8ns

反向恢复时间：215ns

关断损耗：214µJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：56nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，20A

导通损耗：265µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-1

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：600psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTWA70N120G2V-4

工作温度：-55℃~200℃

功率：547W

阈值电压：4.9V@1mA

栅极电荷：150nC@18V

包装方式：散装

输入电容：3540pF@800V

连续漏极电流：91A

类型：N沟道

导通电阻：30mΩ@50A，18V

漏源电压：1200V

包装清单：商品主体 * 1