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    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 3V@250μA
    当前匹配商品:800+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@20V

    连续漏极电流:13A€55A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.64nF@20V

    连续漏极电流:14A€42A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8447L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€44W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.97nF@20V

    连续漏极电流:15.2A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10V,14A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:9A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@20V

    连续漏极电流:13A€55A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN50EPEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN50EPEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN50EPEX

    功率:560mW€6.25mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8449 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8449 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8449

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@20V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,7.6A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:9A€10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@20V

    连续漏极电流:13A€55A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN50EPEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN50EPEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN50EPEX

    功率:560mW€6.25mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8018 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8018 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8018

    功率:83W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:175A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2308A 起订71个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2308A 起订71个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308A

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2308A 起订24个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2308A 起订24个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308A

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT457N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT457N

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8018 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8018 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8018

    功率:83W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:175A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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