首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    包装方式
    阈值电压
    漏源电压
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 3V@1mA
    当前匹配商品:2000+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D26Z 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 BS170-D26Z 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170-D26Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TKR74F04PB,LXGQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TKR74F04PB,LXGQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TKR74F04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14200pF@10V

    连续漏极电流:250A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.74mΩ@125A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD160P05TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD160P05TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@16A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8023S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8023S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@15V

    连续漏极电流:26A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3320FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3320FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:60mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@100mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@10V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.79mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020SPTL 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020SPTL 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5H020SPTL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@2A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0545GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@100mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0306AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0306AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0306AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@15V

    连续漏极电流:26A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S04M3L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6510pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD150N06TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD150N06TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7000-D26Z 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000-D26Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订47个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF170LT1G 起订47个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF170LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订624个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订624个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧