采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840LCPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF20
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
