采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD10AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@25V
连续漏极电流：11A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
