采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR690DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@100V
连续漏极电流：34.4A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR574DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@75V
连续漏极电流：12.1A€48.1A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
