采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4312，"22+"：21701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4312，"22+"：21701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：41268}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：75000，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：41268}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：10A€50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6446，"23+"：32616，"MI+"：2627}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
