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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：FDC8602
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功率：690mW
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输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV240SPR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：365mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：70pF@50V
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