品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@100V
连续漏极电流:4.3A€14.4A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@4.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NF25
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@6.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@100V
连续漏极电流:4.3A€14.4A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@4.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18NF25
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@125V
连续漏极电流:3.4A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@3.6A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM10250E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3002pF@125V
连续漏极电流:63.5A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@8.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR224TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: