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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:169nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:13A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订124个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":85,"20+":1350,"23+":3454}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3890

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:1.2A€2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8001STLWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8001STLWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8894pF@50V

    连续漏极电流:270A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4120pF@40V

    连续漏极电流:23A€157A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0165N807L 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0165N807L 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0165N807L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:304nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23660pF@40V

    连续漏极电流:310A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@36A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86369-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86369-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@40V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@65A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3572 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86368-F085 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86368-F085 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86368-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4350pF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7380TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7380TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:73mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:760mW€2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:270mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3890

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":985,"23+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@40V

    连续漏极电流:220A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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