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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRLPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4455DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
