品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5N15F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@2.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7000,"23+":14770}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR220NTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: