采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NF30
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@9A，10V
漏源电压：330V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
