采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1461pF@30V
连续漏极电流：7A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1461pF@30V
连续漏极电流：7A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM250NB06DCR RLG
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功率：2W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1461pF@30V
连续漏极电流：7A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€48W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1461pF@30V
连续漏极电流：7A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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