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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
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功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
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功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
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功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
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功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
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功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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功率：1.8W€250W
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：175℃
连续漏极电流：110A
栅极电荷：294nC@10V
输入电容：16050pF@25V
漏源电压：55V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.8W€348W
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NP110N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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