品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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输入电容:690pF@25V
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类型:N沟道
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
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库存:
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
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栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@250µA
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
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品牌:ST
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
包装方式:卷带(TR)
功率:120W
导通电阻:28mΩ@44A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A€44A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1710pF@25V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
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工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:60W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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