采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
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输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86135
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：7295pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB035N10A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：7295pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：333W
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB035N10A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：7295pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
连续漏极电流：120A
漏源电压：100V
功率：333W
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
包装方式：卷带（TR）
功率：153W
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86135
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6195pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
