采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3006TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8970pF@50V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7749L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12320pF@25V
连续漏极电流：33A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7749L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12320pF@25V
连续漏极电流：33A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL12P6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7749L2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€341W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10655pF@25V
连续漏极电流：36A€345A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€294.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11535pF@30V
连续漏极电流：60.5A€464A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL12P6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055-150T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：8.83A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@10A，6.2V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3006TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8970pF@50V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
