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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@22A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2344pF@75V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260ET150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0630N150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@75V

    连续漏极电流:17.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@22A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB075N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD25N15-52-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB2532 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86210-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB075N15A 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB075N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7350pF@75V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6215STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6215STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6215STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86255ET150 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86255ET150 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86255ET150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4480pF@75V

    连续漏极电流:10A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2532 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2532

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5870pF@25V

    连续漏极电流:8A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRLPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRLPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRRPBF 起订594个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR6215TRRPBF 起订594个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR6215TRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2400个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2400个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@22A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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