采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB80NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：200，"19+"：575，"22+"：41995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S203ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1651
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S204ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4000}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2907ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：985，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB80NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：182nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S2H4ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：148nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：14886，"18+"：1364，"21+"：634，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S204ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1651
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF2804STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF2804STRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2000，"22+"：10673}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB75NF75T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB80N03S203GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：14886，"18+"：1364，"21+"：634，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S204ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1825，"21+"：5598，"22+"：34608，"MI+"：1237}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7735pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB15N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
