采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
导通电阻：37mΩ@32A，10V
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1450pF@25V
阈值电压：4V@250µA
功率：100W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD40P8F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4112pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
